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E+H變送(song)器(qi)FMU90-R11CA111AA1A 以機械結(jie)構型的(de)器(qi)件為主，以彈性元(yuan)件的(de)形變指示壓(ya)(ya)力(li)，但這種結(jie)構尺寸大、質(zhi)量重，不能提供電(dian)學輸出。隨著半導(dao)體(ti)技術的(de)發(fa)展(zhan)，半導(dao)體(ti)壓(ya)(ya)力(li)傳感(gan)器(qi)也應運而(er)(er)生。其(qi)特點(dian)是體(ti)積小、質(zhi)量輕(qing)、準確(que)度高、溫度特性好。特別是隨著MEMS技術的(de)發(fa)展(zhan)，半導(dao)體(ti)傳感(gan)器(qi)向(xiang)著微型化發(fa)展(zhan)，而(er)(er)且(qie)其(qi)功耗小、可(ke)靠性高。

更新時間：2024-04-29

E+H變(bian)送器FMU43-ARB1A2適用(yong)行(xing)業 以機(ji)械結構(gou)型(xing)的器件為主，以彈(dan)性元件的形變(bian)指示壓力，但這種結構(gou)尺寸(cun)大、質量(liang)重，不能提供(gong)電學輸出。隨著半(ban)導(dao)體(ti)技術的發展(zhan)，半(ban)導(dao)體(ti)壓力傳(chuan)感器也應運而生。其特(te)點(dian)是體(ti)積(ji)小、質量(liang)輕、準確(que)度(du)高(gao)、溫度(du)特(te)性好。特(te)別是隨著MEMS技術的發展(zhan)，半(ban)導(dao)體(ti)傳(chuan)感器向(xiang)著微(wei)型(xing)化發展(zhan)，而且其功耗(hao)小、可靠性高(gao)。

更新時間：2024-04-29

E+H變(bian)送器(qi)(qi)(qi)FMU43-APG2A2 以機械(xie)結構型的(de)器(qi)(qi)(qi)件為主，以彈(dan)性元(yuan)件的(de)形變(bian)指示壓力，但這種(zhong)結構尺寸大、質量(liang)(liang)重，不(bu)能提供電學(xue)輸出(chu)。隨著半導(dao)體技術(shu)(shu)的(de)發(fa)(fa)展(zhan)，半導(dao)體壓力傳感(gan)器(qi)(qi)(qi)也應運而(er)生(sheng)。其特(te)點是體積小(xiao)、質量(liang)(liang)輕、準確(que)度(du)(du)高、溫度(du)(du)特(te)性好。特(te)別(bie)是隨著MEMS技術(shu)(shu)的(de)發(fa)(fa)展(zhan)，半導(dao)體傳感(gan)器(qi)(qi)(qi)向著微型化(hua)發(fa)(fa)展(zhan)，而(er)且(qie)其功耗小(xiao)、可靠(kao)性高。

更新時間：2024-04-29

E+H變送器(qi)FMU860-R1A1A1可編(bian)程 以(yi)機械結構(gou)型(xing)的(de)器(qi)件(jian)(jian)為(wei)主，以(yi)彈性(xing)元件(jian)(jian)的(de)形變指示壓力，但這種(zhong)結構(gou)尺寸大、質量重，不能提供電學(xue)輸(shu)出。隨著(zhu)(zhu)半導(dao)體(ti)技術的(de)發(fa)(fa)(fa)展(zhan)，半導(dao)體(ti)壓力傳(chuan)(chuan)感器(qi)也應運而生。其特點是體(ti)積小、質量輕、準確度高、溫(wen)度特性(xing)好。特別是隨著(zhu)(zhu)MEMS技術的(de)發(fa)(fa)(fa)展(zhan)，半導(dao)體(ti)傳(chuan)(chuan)感器(qi)向著(zhu)(zhu)微型(xing)化發(fa)(fa)(fa)展(zhan)，而且其功耗小、可靠(kao)性(xing)高。

更新時間：2024-04-29

E+H變(bian)送(song)器FMU860-R1A1B3 以機械(xie)結構型的(de)(de)(de)器件為主，以彈性(xing)元(yuan)件的(de)(de)(de)形變(bian)指(zhi)示壓力，但這種結構尺寸大、質量(liang)(liang)重(zhong)，不能提供電學輸出。隨著半導體技(ji)術的(de)(de)(de)發(fa)展，半導體壓力傳感器也應運(yun)而生。其(qi)(qi)特點(dian)是體積(ji)小、質量(liang)(liang)輕、準確度(du)高、溫度(du)特性(xing)好(hao)。特別(bie)是隨著MEMS技(ji)術的(de)(de)(de)發(fa)展，半導體傳感器向(xiang)著微型化(hua)發(fa)展，而且(qie)其(qi)(qi)功耗小、可(ke)靠性(xing)高。

更新時間：2024-04-28

E+H變(bian)送(song)器FMU90-R11CA232AA1A 以(yi)機械結(jie)構(gou)型的(de)(de)器件(jian)為主，以(yi)彈性(xing)元件(jian)的(de)(de)形變(bian)指(zhi)示壓力(li)，但這(zhe)種結(jie)構(gou)尺寸大(da)、質(zhi)量重，不能提(ti)供電學(xue)輸出。隨著(zhu)半(ban)導(dao)體(ti)技術的(de)(de)發展，半(ban)導(dao)體(ti)壓力(li)傳感器也(ye)應運而生。其(qi)(qi)特點是體(ti)積小、質(zhi)量輕、準確度(du)高(gao)(gao)、溫度(du)特性(xing)好。特別是隨著(zhu)MEMS技術的(de)(de)發展，半(ban)導(dao)體(ti)傳感器向著(zhu)微型化發展，而且其(qi)(qi)功耗小、可靠性(xing)高(gao)(gao)。

更新時間：2024-04-28

E+H變(bian)送器(qi)(qi)FMU42-APB1A22A 以(yi)機械結(jie)構(gou)型(xing)的(de)(de)器(qi)(qi)件為主，以(yi)彈性元(yuan)件的(de)(de)形(xing)變(bian)指示壓力，但這(zhe)種結(jie)構(gou)尺寸大、質量重(zhong)，不能(neng)提供電學輸出。隨著半(ban)導(dao)體(ti)(ti)技(ji)術(shu)的(de)(de)發展，半(ban)導(dao)體(ti)(ti)壓力傳感器(qi)(qi)也(ye)應運而生。其特(te)點是體(ti)(ti)積小(xiao)、質量輕、準確(que)度高、溫度特(te)性好(hao)。特(te)別是隨著MEMS技(ji)術(shu)的(de)(de)發展，半(ban)導(dao)體(ti)(ti)傳感器(qi)(qi)向著微型(xing)化發展，而且其功耗小(xiao)、可靠(kao)性高。

更新時間：2024-04-28

E+H變送器(qi)(qi)(qi)(qi)FMU41-1RB2A2非(fei)線(xian)性 以機(ji)械結構(gou)型(xing)的(de)器(qi)(qi)(qi)(qi)件為主，以彈性元件的(de)形(xing)變指(zhi)示壓力(li)，但這種(zhong)結構(gou)尺寸(cun)大(da)、質(zhi)量(liang)重，不能提供電學輸(shu)出。隨(sui)(sui)著半導(dao)體技(ji)術的(de)發(fa)展，半導(dao)體壓力(li)傳感器(qi)(qi)(qi)(qi)也應運(yun)而生(sheng)。其(qi)特(te)點是(shi)體積(ji)小、質(zhi)量(liang)輕、準確度高、溫(wen)度特(te)性好。特(te)別是(shi)隨(sui)(sui)著MEMS技(ji)術的(de)發(fa)展，半導(dao)體傳感器(qi)(qi)(qi)(qi)向著微型(xing)化發(fa)展，而且(qie)其(qi)功耗小、可靠性高。

更新時間：2024-04-28

E+H變送器(qi)(qi)(qi)FMU42-APB2A22A耐高溫 以(yi)(yi)機(ji)械(xie)結(jie)構型的器(qi)(qi)(qi)件(jian)為主，以(yi)(yi)彈性(xing)(xing)元件(jian)的形變指示壓力，但這種結(jie)構尺寸(cun)大、質(zhi)量重，不能提供電學輸出。隨著(zhu)半導體技術(shu)的發(fa)展(zhan)，半導體壓力傳(chuan)感器(qi)(qi)(qi)也應運而生。其特點是(shi)體積小(xiao)、質(zhi)量輕(qing)、準確度高、溫度特性(xing)(xing)好。特別是(shi)隨著(zhu)MEMS技術(shu)的發(fa)展(zhan)，半導體傳(chuan)感器(qi)(qi)(qi)向著(zhu)微型化發(fa)展(zhan)，而且其功耗小(xiao)、可靠(kao)性(xing)(xing)高。

更新時間：2024-04-28

E+H變送器(qi)(qi)FMU41-ARB1A2 以機械(xie)結構型的(de)器(qi)(qi)件(jian)為主，以彈性(xing)元件(jian)的(de)形變指示(shi)壓(ya)力(li)，但這(zhe)種(zhong)結構尺寸大、質量(liang)重，不能提(ti)供電學輸出。隨著半導體(ti)技(ji)術的(de)發(fa)展(zhan)，半導體(ti)壓(ya)力(li)傳感(gan)器(qi)(qi)也(ye)應運而生。其特(te)點是體(ti)積小(xiao)、質量(liang)輕、準確度(du)高(gao)、溫度(du)特(te)性(xing)好。特(te)別是隨著MEMS技(ji)術的(de)發(fa)展(zhan)，半導體(ti)傳感(gan)器(qi)(qi)向著微(wei)型化(hua)發(fa)展(zhan)，而且其功耗小(xiao)、可靠性(xing)高(gao)。

更新時間：2024-04-28